Integra Technologies, Inc.: Integra Technologies stellt die branchenweit erste 100-V-HF-GaN/SiC-Technologie für missionskritische Verteidigungsanwendungen vor
Das erste 100-V-HF-GaN-Produkt von Integra, der IGN1011S3600, liefert eine bahnbrechende Ausgangsleistung von 3,6 Kilowatt bei 70 Effizienz für Avioniksysteme der nächsten Generation
Integra, ein führender Anbieter von innovativen HF- und Mikrowellen-Leistungslösungen, die dazu beitragen, die Welt sicherer zu machen und besser zu vernetzen, hat heute ein branchenweit erstes 100-V-HF-GaN/SiC-System vorgestellt, das auf ein breites Anwendungsspektrum abzielt, darunter Radar, Avionik, elektronische Kriegsführung, industrielle, wissenschaftliche und medizinische Systeme. Die neue, mit 100 V arbeitende Technologie sprengt die Leistungsgrenzen herkömmlicher HF-Systeme, indem sie es ermöglicht mit einem einzigen GaN-Transistor 3,6 Kilowatt (kW) Ausgangsleistung zu erzielen. Im Vergleich zur derzeit gängigeren 50-V/65-V-GaN-
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