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英特爾公布全新節點命名方式，加速部署全新製程與先進封裝 作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 07 月 27 日 11:10 | 分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓 | edit 處理器大廠英特爾（intel）27 日正式首次詳盡揭露製程與封裝技術最新藍圖，並宣布一系列半導體製程節點命名方式，為 2025 年之後產品注入動力。除首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外，尚有稱為 PowerVia 的業界首款背部供電方案。英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫，稱為高數值孔徑（High NA）EUV。英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。 英特爾表示，產業早已意識到，目前以奈米為基礎的

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