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　　在这一过程当中，有一件比较神奇的事情，5μm阶段，当时的波长是436nm，而到7nm，波长是193nm，变化并不是特别大，这样，从光学的角度看，我们要实现将特征尺寸缩到波长的四十分之一，似乎是不可能完成的任务，我们需要跳出纯光学思维，从半导体的角度去考虑如何实现它。 　　人的头发横截面直径大概是80μm，以采用28nm制程工艺的SRAM为例，可以在头发的横截面上放20735个这个样的SRAM单元，随着微缩技术的发展，在直径为80μm的横截面上，可以容纳越来越多的SRAM单元了。这主要是由光刻工艺及其技术演进实现的。 　　光刻微缩的理论基础主要基于下图的方程式：分辨率和DOF(depth of focus，景深)。 　　从图中的公式可以看出，分辨率主要由三个因数决定，分别是波长λ、镜头角度的正弦值sinθ，以及k1，其中，对于做光刻的人来说，k1这�

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