Samsung Develops Industrys First HKMG-Based DDR5 Memory; Ide

Posted March 25th, 2021 for Samsung
512GB capacity DDR5 module made possible by an 8-layer TSV structure
HKMG material reduces power by 13 percent while doubling the speed of DDR4
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has expanded its DDR5 DRAM memory portfolio with the industry’s first 512GB DDR5 module based on High-K Metal Gate (HKMG) process technology. Delivering more than twice the performance of DDR4 at up to 7,200 megabits per second (Mbps), the new DDR5 will be capable of orchestrating the most extreme compute-hungry, high-bandwidth workloads in supercomputing, artificial intelligence (AI) and machine learning (ML), as well as data analytics applications.

Related Keywords

Young Soo Sohn , Carolyn Duran , Samsung , Io Technology At Intel , Samsung Electronics , Memory Planning Enabling Group At Samsung Electronics , Intel , Highk Metal Gate , Vice President , Enabling Group , Intel Xeon Scalable , Sapphire Rapids , இளம் சூ சோன் , கரோலின் துரான் , சாம்சங் , ஐயொ தொழில்நுட்பம் இல் இன்டெல் , சாம்சங் மின்னணுவியல் , நினைவு திட்டமிடல் செயல்படுத்துகிறது குழு இல் சாம்சங் மின்னணுவியல் , இன்டெல் , துணை ப்ரெஸிடெஂட் , செயல்படுத்துகிறது குழு , சபையர் ரேபிட்கள் ,