WPI-MANA demuestra que un nuevo resonador GaN MEMS es estable a temperaturas de hasta 600 K
Share this article Share this article TSUKUBA, Japón, 15 de julio de 2021 /PRNewswire/ -- Un equipo de WPI-MANA ha demostrado un resonador de GaN altamente estable a elevada temperatura que cuenta con estabilidad de alta frecuencia, alto factor Q y el potencial de integración a gran escala con la tecnología de silicio. (Imagen: El hallazgo podría dar lugar a dispositivos electrónicos 5G más rápidos gracias a una mejor integración de los sistemas microelectromecánicos y nanoelectromecánicos (MEMS/NEMS) basados en GaN con la actual tecnología de semiconductores. El resonador GaN, f...
Source: prnewswire.com