WPI-MANA demonstriert neuen GaN-MEMS-Resonator, der bis zu 600 K temperaturstabil ist
Share this article Share this article TSUKUBA, Japan, 15. Juli 2021 /PRNewswire/ -- Ein Team am WPI-MANA hat einen hochtemperaturstabilen GaN-Resonator demonstriert, der sich durch Hochfrequenzstabilität, einen hohen Q-Faktor und das Potenzial für eine groß angelegte Integration mit Siliziumtechnologie auszeichnet. Diese Erkenntnis könnte zu schnelleren 5G-Elektronikgeräten führen, dank einer besseren Integration von GaN-basierten mikro- und nano-elektromechanischen Systemen (MEMS/NEMS) mit der aktuellen Halbleitertechnologie. Der GaN-Resonator, der auf einem Siliziumsubstrat hergestell...
Source: prnewswire.com