The changing paradigm of next-generation semiconductor memor

The changing paradigm of next-generation semiconductor memory development


Credit: Korea Institute of Science and Technology(KIST)
The Korea Institute of Science and Technology (KIST) has announced that the research team led by Dr. Kim Kyoung-Whan at the Center for Spintronics has proposed a new principle about spin memory devices, which are next-generation memory devices. This breakthrough presents new applicability that is different from the existing paradigm.
Conventional memory devices are classified into volatile memories, such as RAM, that can read and write data quickly, and non-volatile memories, such as hard-disk, on which data are maintained even when the power is off. In recent years, related academic and industrial fields have been combining their advantages to accelerate the development of next-generation memory that is fast and capable of maintaining data even when the power is off.

Related Keywords

South Korea , Korea , Kim Kyoung Whan , Institutional Rd Program , Korea Institute Of Science , Ministry Of Science , Korea Institute , New Research Support Program , National Research Foundation , Physical Review Letters , Chemistry Physics Materials Sciences , Technology Engineering Computer Science , தெற்கு கொரியா , கொரியா , நிறுவன ர்ட் ப்ரோக்ர்யாம் , கொரியா நிறுவனம் ஆஃப் அறிவியல் , அமைச்சகம் ஆஃப் அறிவியல் , கொரியா நிறுவனம் , புதியது ஆராய்ச்சி ஆதரவு ப்ரோக்ர்யாம் , தேசிய ஆராய்ச்சி அடித்தளம் , உடல் விமர்சனம் எழுத்துக்கள் , வேதியியல் இயற்பியல் பொருட்கள் அறிவியல் , தொழில்நுட்பம் பொறியியல் கணினி அறிவியல் ,

© 2025 Vimarsana