புதியது ஆராய்ச்சி ஆதரவு ப்ரோக்ர்யாம் News Today : Breaking News, Live Updates & Top Stories | Vimarsana

Stay updated with breaking news from புதியது ஆராய்ச்சி ஆதரவு ப்ரோக்ர்யாம். Get real-time updates on events, politics, business, and more. Visit us for reliable news and exclusive interviews.

Top News In புதியது ஆராய்ச்சி ஆதரவு ப்ரோக்ர்யாம் Today - Breaking & Trending Today

New Nanomagnetism Principle for Next-Generation Memory Devices

New Nanomagnetism Principle for Next-Generation Memory Devices
Written by AZoNanoJan 13 2021
The Korea Institute of Science and Technology (KIST) reports that a team of researchers under Dr Kyoung-Whan Kim from the Center for Spintronics has come up with a new principle for spin memory devices regarded as the next-generation memory devices.
Dr Kyoung-Whan Kim at the Center for Spintronics, KIST. Image Credit: Korea Institute of Science and Technology.
The advancement represents new applicability that varies from the current paradigm. Traditional memory devices are categorized into volatile memories, like RAM, which can read and write data rapidly, and non-volatile memories, like hard-disk, on which data are retained even when there is no power. ....

South Korea , Kyoung Whan Kim , Institutional Rd Program , Korea Institute Of Science , Ministry Of Science , Korea Institute , New Research Support Program , National Research Foundation , Generalized Spin Drift Diffusion Formalism , Spin Orbit Interaction , Physical Review , தெற்கு கொரியா , நிறுவன ர்ட் ப்ரோக்ர்யாம் , கொரியா நிறுவனம் ஆஃப் அறிவியல் , அமைச்சகம் ஆஃப் அறிவியல் , கொரியா நிறுவனம் , புதியது ஆராய்ச்சி ஆதரவு ப்ரோக்ர்யாம் , தேசிய ஆராய்ச்சி அடித்தளம் , சுழல் ஆர்‌பிட் தொடர்பு , உடல் விமர்சனம் ,

The changing paradigm of next-generation semiconductor memory development

Credit: Korea Institute of Science and Technology(KIST)
The Korea Institute of Science and Technology (KIST) has announced that the research team led by Dr. Kim Kyoung-Whan at the Center for Spintronics has proposed a new principle about spin memory devices, which are next-generation memory devices. This breakthrough presents new applicability that is different from the existing paradigm.
Conventional memory devices are classified into volatile memories, such as RAM, that can read and write data quickly, and non-volatile memories, such as hard-disk, on which data are maintained even when the power is off. In recent years, related academic and industrial fields have been combining their advantages to accelerate the development of next-generation memory that is fast and capable of maintaining data even when the power is off. ....

South Korea , Kim Kyoung Whan , Institutional Rd Program , Korea Institute Of Science , Ministry Of Science , Korea Institute , New Research Support Program , National Research Foundation , Physical Review Letters , Chemistry Physics Materials Sciences , Technology Engineering Computer Science , தெற்கு கொரியா , நிறுவன ர்ட் ப்ரோக்ர்யாம் , கொரியா நிறுவனம் ஆஃப் அறிவியல் , அமைச்சகம் ஆஃப் அறிவியல் , கொரியா நிறுவனம் , புதியது ஆராய்ச்சி ஆதரவு ப்ரோக்ர்யாம் , தேசிய ஆராய்ச்சி அடித்தளம் , உடல் விமர்சனம் எழுத்துக்கள் , வேதியியல் இயற்பியல் பொருட்கள் அறிவியல் , தொழில்நுட்பம் பொறியியல் கணினி அறிவியல் ,