英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了--IT时代网
正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。 但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。 而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET(全栅场效应管)，它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。 图片来自泛林半导体 听...
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